文献
J-GLOBAL ID:201202268561038880
整理番号:12A1510442
シリコン技術で製作した正確に調整可能なジオメトリの均一電界放出カソード
Homogeneous Field Emission Cathodes With Precisely Adjustable Geometry Fabricated by Silicon Technology
著者 (7件):
DAMS Florian
(Regensburg Univ. Applied Sci., Regensburg, DEU)
,
NAVITSKI Aliaksandr
(Univ. Wuppertal, Wuppertal, DEU)
,
PROMMESBERGER Christian
(Regensburg Univ. Applied Sci., Regensburg, DEU)
,
SERBUN Pavel
(Univ. Wuppertal, Wuppertal, DEU)
,
LANGER Christoph
(Regensburg Univ. Applied Sci., Regensburg, DEU)
,
MUELLER Guenter
(Univ. Wuppertal, Wuppertal, DEU)
,
SCHREINER Rupert
(Regensburg Univ. Applied Sci., Regensburg, DEU)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
10
ページ:
2832-2837
発行年:
2012年10月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)