文献
J-GLOBAL ID:201202268655912290
整理番号:12A0386972
単一半導性MgZnOナノロッドにおける励起子散乱機構
Exciton Scattering Mechanism in a Single Semiconducting MgZnO Nanorod
著者 (6件):
YOO Jinkyoung
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
YOO Jinkyoung
(Los Alamos National Lab., New Mexico, USA)
,
DANG Le Si
(Univ. Joseph Fourier, Grenoble, FRA)
,
CHON Bonghwan
(POSTECH, Gyeongbuk, KOR)
,
JOO Taiha
(POSTECH, Gyeongbuk, KOR)
,
YI Gyu-Chul
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Nano Letters
(Nano Letters)
巻:
12
号:
2
ページ:
556-561
発行年:
2012年02月
JST資料番号:
W1332A
ISSN:
1530-6984
CODEN:
NALEFD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)