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文献
J-GLOBAL ID：201202268920168469
整理番号：12A1383649
GaN HEMTの電界とゲートドレイン間容量のトレードオフとPAEへの影響についてのシミュレーション解析
山口裕太郎
(三菱電機)
,
林一夫
(三菱電機)
,
大石敏之
(三菱電機)
,
大塚浩志
(三菱電機)
,
小山英寿
(三菱電機)
,
加茂宣卓
(三菱電機)
,
山中宏治
(三菱電機)
,
中山正敏
(三菱電機)
,
宮本恭幸
(東京工大)
資料名：
電子情報通信学会大会講演論文集
(電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集)
巻： 2012 号： エレクトロニクスソサイエティ2 ページ： 62 発行年： 2012年08月28日
JST資料番号： G0508A ISSN： 1349-1369 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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