文献
J-GLOBAL ID:201202269044076973
整理番号:12A0834561
イオン注入によるSiO2中でのSiナノ結晶の形成:光ルミネセンスに及ぼすRTAとUV照射の効果
Si nanocrystals formation in SiO2 by ion implantation: The effects of RTA and UV irradiation on photoluminescence
著者 (1件):
IWAYAMA T.s.
(Dep. of Physics, Aichi Univ. of Education, Igaya-cho, Kariya-shi, Aichi 448-8542, JPN)
資料名:
Vacuum
(Vacuum)
巻:
86
号:
10
ページ:
1634-1637
発行年:
2012年04月27日
JST資料番号:
E0347A
ISSN:
0042-207X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)