文献
J-GLOBAL ID:201202269054337350
整理番号:12A1081024
光ルミネセンスおよび深準位過渡分光法によって測定した銅の拡散されたn型シリコンにおける銅に関係する中心
Copper centers in copper-diffused n-type silicon measured by photoluminescence and deep-level transient spectroscopy
著者 (3件):
NAKAMURA Minoru
(Coll. of Engineering, Ibaraki Univ., 12-1 Nakanarusawa-cho, 4-chome, Hitachi, Ibaraki 316-8511, JPN)
,
MURAKAMI Susumu
(Hitachi Res. Lab., Hitachi, Ltd., 1-1 Omika-cho 7-chome, Hitachi, Ibaraki 319-1292, JPN)
,
UDONO Haruhiko
(Coll. of Engineering, Ibaraki Univ., 12-1 Nakanarusawa-cho, 4-chome, Hitachi, Ibaraki 316-8511, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
101
号:
4
ページ:
042113-042113-4
発行年:
2012年07月23日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)