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文献
J-GLOBAL ID：201202269095470153
整理番号：12A0238090
Al2O3エッチングストップ技術を使用したSiC基板上にMOCVDにより成長させたマイクロ波電力性能N極性GaN MISHEMTs
Microwave Power Performance N-Polar GaN MISHEMTs Grown by MOCVD on SiC Substrates Using an Al2O3 Etch-Stop Technology
KOLLURI Seshadri
(Univ. California, CA, USA)
,
KELLER Stacia
(Univ. California, CA, USA)
,
DENBAARS Steven P.
(Univ. California, CA, USA)
,
MISHRA Umesh K.
(Univ. California, CA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 33 号： 1 ページ： 44-46 発行年： 2012年01月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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