文献
J-GLOBAL ID:201202269114728221
整理番号:12A0224393
UTB及びUTBB SOI MOSFETにおけるDIBLの拡張マスタモデリング
Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs
著者 (8件):
MD ARSHAD Mohd Khairuddin
(Univ. catholique de Louvain (UCL), Louvain-la-Neuve, BEL)
,
MD ARSHAD Mohd Khairuddin
(Universiti Malaysia Perlis, Kangar, MYS)
,
RASKIN Jean-Pierre
(Univ. catholique de Louvain (UCL), Louvain-la-Neuve, BEL)
,
KILCHYTSKA Valeriya
(Univ. catholique de Louvain (UCL), Louvain-la-Neuve, BEL)
,
ANDRIEU Francois
(Leti, CEA, Grenoble, FRA)
,
SCHEIBLIN Pascal
(Leti, CEA, Grenoble, FRA)
,
FAYNOT O.
(Leti, CEA, Grenoble, FRA)
,
FLANDRE Denis
(Univ. catholique de Louvain (UCL), Louvain-la-Neuve, BEL)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
1
ページ:
247-251
発行年:
2012年01月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)