文献
J-GLOBAL ID:201202269378855035
整理番号:12A1222138
エッチバック構造を持ったガリウム-インジウム-亜鉛酸化物薄膜トランジスタのドライエッチ損傷と復旧
Dry etch damage and recovery of gallium indium zinc oxide thin-film transistors with etch-back structures
著者 (2件):
PARK Jae Chul
(Inst. of Physics and Applied Physics, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR)
,
LEE Ho-nyeon
(Dep. of Display and Electronic Information Engineering, Soonchunhyang Univ., 646, Eupnae-ri, Shinchang-myeon ...)
資料名:
Displays
(Displays)
巻:
33
号:
3
ページ:
133-135
発行年:
2012年07月
JST資料番号:
C0042B
ISSN:
0141-9382
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)