文献
J-GLOBAL ID:201202269613699941
整理番号:12A0924289
Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性
Polarization properties in InGaN/GaN multiple quantum well on semipolar (1-101)GaN/Si
著者 (6件):
久志本真希
(名古屋大 大学院工学研究科)
,
谷川智之
(名古屋大 大学院工学研究科)
,
本田善央
(名古屋大 大学院工学研究科)
,
山口雅史
(名古屋大 大学院工学研究科)
,
天野浩
(名古屋大 大学院工学研究科)
,
天野浩
(赤崎記念研究セ)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
112
号:
34(SDM2012 19-42)
ページ:
15-18
発行年:
2012年05月10日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)