文献
J-GLOBAL ID:201202269744565525
整理番号:12A0224387
回路シミュレーションのための単一電子メモリの静的及び動的モデリング
Static and Dynamic Modeling of Single-Electron Memory for Circuit Simulation
著者 (9件):
XUAN Wei
(Univ. Lyon, Villeurbanne, FRA)
,
BEAUMONT Arnaud
(Univ. Lyon, Villeurbanne, FRA)
,
GUILMAIN Marc
(Univ. Sherbrooke, QC, CAN)
,
BOUNOUAR Mohamed-Amine
(Univ. Lyon, Villeurbanne, FRA)
,
BOUNOUAR Mohamed-Amine
(Univ. Sherbrooke, QC, CAN)
,
BABOUX Nicolas
(Univ. Lyon, Villeurbanne, FRA)
,
ETZKORN James
(Univ. Lyon, Villeurbanne, FRA)
,
DROUIN Dominique
(Univ. Sherbrooke, QC, CAN)
,
CALMON Francis
(Univ. Lyon, Villeurbanne, FRA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
1
ページ:
212-220
発行年:
2012年01月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)