文献
J-GLOBAL ID:201202270100944582
整理番号:12A1603100
GaAsN太陽電池の性能に及ぼす重要な深準位と界面状態の影響: シミュレーション研究
Effects of a key deep level and interface states on the performance of GaAsN solar cells: a simulation analysis
著者 (5件):
HAN Xiuxun
(Lanzhou Inst. of Chemical Physics, Chinese Acad. of Sci., Lanzhou, CHN)
,
HWANG Jong-Ha
(Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
,
KOJIMA Nobuaki
(Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
,
OHSHITA Yoshio
(Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
,
YAMAGUCHI Masafumi
(Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
27
号:
10
ページ:
105013,1-6
発行年:
2012年10月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)