文献
J-GLOBAL ID:201202270305134168
整理番号:12A1711853
非晶質SiにおけるNiの拡散に及ぼす二層形状の効果及び結果として起こるケイ化物の成長
Effect of bilayer geometry on the diffusion of Ni in amorphous Si and the consequent growth of silicides
著者 (2件):
AHAMAD MOHIDDON Mahamad
(School of Physics, Univ. of Hyderabad, Hyderabad-500046, India and Dep. of Physics, Univ. of Trento, Trento, ITA)
,
GHANASHYAM KRISHNA Mamidipudi
(School of Physics, Univ. of Hyderabad, Hyderabad-500046, IND)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻:
30
号:
6
ページ:
061203-061203-8
発行年:
2012年11月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
2166-2746
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)