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文献
J-GLOBAL ID:201202270584694666   整理番号:12A0233654

SiH4フリーSiCxNy膜によるBドープCz-Si太陽電池における光誘起劣化(LID)の低減

Reduction of light induced degradation (LID) in B-doped Cz-Si solar cells by SiH4-free SiCxNy film
著者 (7件):
KANG M.H.
(Georgia Inst. Technol., GA)
HONG J.
(Sixtron Advanced Materials Inc., Quebec, CAN)
EBONG A.
(Georgia Inst. Technol., GA)
ROUNSAVILLE B.
(Georgia Inst. Technol., GA)
UPADHYAYA Vijaykumar
(Georgia Inst. Technol., GA)
ROHATGI A.
(Georgia Inst. Technol., GA)
ROHATGI A.
(Founder and CTO, Suniva Inc., GA)

資料名:
Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference  (Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference)

巻: 35th Vol.5  ページ: 3196-3199  発行年: 2010年 
JST資料番号: E0756A  ISSN: 0160-8371  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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