文献
J-GLOBAL ID:201202270584694666
整理番号:12A0233654
SiH4フリーSiCxNy膜によるBドープCz-Si太陽電池における光誘起劣化(LID)の低減
Reduction of light induced degradation (LID) in B-doped Cz-Si solar cells by SiH4-free SiCxNy film
著者 (7件):
KANG M.H.
(Georgia Inst. Technol., GA)
,
HONG J.
(Sixtron Advanced Materials Inc., Quebec, CAN)
,
EBONG A.
(Georgia Inst. Technol., GA)
,
ROUNSAVILLE B.
(Georgia Inst. Technol., GA)
,
UPADHYAYA Vijaykumar
(Georgia Inst. Technol., GA)
,
ROHATGI A.
(Georgia Inst. Technol., GA)
,
ROHATGI A.
(Founder and CTO, Suniva Inc., GA)
資料名:
Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference
(Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference)
巻:
35th Vol.5
ページ:
3196-3199
発行年:
2010年
JST資料番号:
E0756A
ISSN:
0160-8371
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)