文献
J-GLOBAL ID:201202270725437166
整理番号:12A0728093
GaNエピタキシャル層における帯電転位壁の移動度への効果
Effect of charged dislocation walls on mobility in GaN epitaxial layers
著者 (1件):
KRASAVIN S. E.
(Joint Inst. for Nuclear Res., 141980, Dubna, Moscow oblast, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
46
号:
5
ページ:
598-601
発行年:
2012年05月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)