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文献
J-GLOBAL ID：201202271105954884
整理番号：12A1016167
電子ビーム物理蒸着により成長させたGd2O3/Si(111)のミクロ構造,相転移,及び界面化学
Microstructure, phase transition, and interfacial chemistry of Gd2O3/Si(111) grown by electron-beam physical vapor deposition
WENG Xiaojun
(Materials Res. Inst. and Electro-Optics Center, The Pennsylvania State Univ., Univ. Park, Pennsylvania 16802)
,
GRAVE Daniel A.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering and Applied Res. Lab., The Pennsylvania State Univ., Univ. Park, Pennsylvania ...)
,
HUGHES Zachary R.
(Electro-Optics Center and Dep. of Materials Sci. and Engineering, The Pennsylvania State Univ., Univ. Park ...)
,
WOLFE Douglas E.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering and Applied Res. Lab., The Pennsylvania State Univ., Univ. Park, Pennsylvania ...)
,
ROBINSON Joshua A.
(Electro-Optics Center and Dep. of Materials Sci. and Engineering, The Pennsylvania State Univ., Univ. Park ...)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 30 号： 4 ページ： 041512-041512-10 発行年： 2012年07月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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