文献
J-GLOBAL ID:201202271186469268
整理番号:12A0230465
反応性RFマグネトロンスパッタリングを用いて堆積された太陽光集光器応用のためのAlN薄膜の構造と電気特性
Structural and electrical properties of AlN films deposited using reactive RF magnetron sputtering for solar concentrator application
著者 (3件):
KALE A.
(Dipartimento di Fisica, Universita degli Studi di Trento, I-38123 Povo, TN Italy)
,
BRUSA R.s.
(Dipartimento di Fisica, Universita degli Studi di Trento, I-38123 Povo, TN Italy)
,
MIOTELLO A.
(Dipartimento di Fisica, Universita degli Studi di Trento, I-38123 Povo, TN Italy)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
258
号:
8
ページ:
3450-3454
発行年:
2012年02月01日
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)