文献
J-GLOBAL ID:201202271200381450
整理番号:12A1770184
GdドープHfO2高kゲート誘電体の電子構造に関する第一原理研究
First-Principles Study on Electronic Structure of Gd-Doped HfO2 High k Gate Dielectrics
著者 (6件):
LIU Xiao-Jie
(Nanjing Univ., Nanjing, CHN)
,
LI Ai-Dong
(Nanjing Univ., Nanjing, CHN)
,
QIAN Xu
(Nanjing Univ., Nanjing, CHN)
,
KONG Ji-Zhou
(Nanjing Univ., Nanjing, CHN)
,
ZHOU Jian
(Nanjing Univ., Nanjing, CHN)
,
WU Di
(Nanjing Univ., Nanjing, CHN)
資料名:
Integrated Ferroelectrics
(Integrated Ferroelectrics)
巻:
134
ページ:
3-9
発行年:
2012年
JST資料番号:
W0539A
ISSN:
1058-4587
CODEN:
IFEREU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)