文献
J-GLOBAL ID:201202271221063091
整理番号:12A1514814
高抵抗非ドープバッファ層を有するサファイア基板上に成長させたノーマリーオフGaNパワーMOSFET
Normally Off GaN Power MOSFET Grown on Sapphire Substrate With Highly Resistive Undoped Buffer Layer
著者 (3件):
LEE Jae-Hoon
(Samsung LED Co. Ltd., Suwon, KOR)
,
JEONG Jae-Hyun
(Samsung LED Co. Ltd., Suwon, KOR)
,
LEE Jung-Hee
(Kyungpook National Univ., Daegu, KOR)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
33
号:
10
ページ:
1429-1431
発行年:
2012年10月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)