文献
J-GLOBAL ID:201202271679589858
整理番号:12A1738317
設計したバンドギャップ構造のための粒子支援GaxIn1-xPナノワイヤ成長
Particle-assisted GaxIn1-xP nanowire growth for designed bandgap structures
著者 (10件):
JACOBSSON D
(Lund Univ., Lund, SWE)
,
PERSSON J M
(Technical Univ. Denmark, Kongens Lyngby, DNK)
,
KRIEGNER D
(Johannes Kepler Univ. Linz, Linz, AUT)
,
ETZELSTORFER T
(Johannes Kepler Univ. Linz, Linz, AUT)
,
WALLENTIN J
(Lund Univ., Lund, SWE)
,
WAGNER J B
(Technical Univ. Denmark, Kongens Lyngby, DNK)
,
STANGL J
(Johannes Kepler Univ. Linz, Linz, AUT)
,
SAMUELSON L
(Lund Univ., Lund, SWE)
,
DEPPERT K
(Lund Univ., Lund, SWE)
,
BORGSTROEM M T
(Lund Univ., Lund, SWE)
資料名:
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻:
23
号:
24
ページ:
245601,1-7
発行年:
2012年06月22日
JST資料番号:
W0108A
ISSN:
0957-4484
CODEN:
NNOTER
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)