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文献
J-GLOBAL ID:201202271679589858   整理番号:12A1738317

設計したバンドギャップ構造のための粒子支援GaxIn1-xPナノワイヤ成長

Particle-assisted GaxIn1-xP nanowire growth for designed bandgap structures
著者 (10件):
JACOBSSON D
(Lund Univ., Lund, SWE)
PERSSON J M
(Technical Univ. Denmark, Kongens Lyngby, DNK)
KRIEGNER D
(Johannes Kepler Univ. Linz, Linz, AUT)
ETZELSTORFER T
(Johannes Kepler Univ. Linz, Linz, AUT)
WALLENTIN J
(Lund Univ., Lund, SWE)
WAGNER J B
(Technical Univ. Denmark, Kongens Lyngby, DNK)
STANGL J
(Johannes Kepler Univ. Linz, Linz, AUT)
SAMUELSON L
(Lund Univ., Lund, SWE)
DEPPERT K
(Lund Univ., Lund, SWE)
BORGSTROEM M T
(Lund Univ., Lund, SWE)

資料名:
Nanotechnology  (Nanotechnology)

巻: 23  号: 24  ページ: 245601,1-7  発行年: 2012年06月22日 
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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