前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201202271703928014
整理番号：12A0121626
ドライエッチしたトレンチの低温アルカリ処理による高アスペクト比の単結晶シリコン懸垂ナノブリッジの加工
Elaboration of high aspect ratio monocrystalline silicon suspended nanobridges by low temperature alkaline treatment of dry etched trenches
DEFFORGE Thomas
(Univ. Francois Rabelais de Tours, Lab. de Microelectronique de Puissance, 16 Rue Pierre et Marie Curie, BP 7155 ...)
,
GAUTIER Gaeel
(Univ. Francois Rabelais de Tours, Lab. de Microelectronique de Puissance, 16 Rue Pierre et Marie Curie, BP 7155 ...)
,
TILLOCHER Thomas
(Groupe de Recherches sur l’Energetique des Milieux Ionises, CNRS/Polytech’Orleans, Orleans Cedex 2, FRA)
,
DUSSART Remi
(Groupe de Recherches sur l’Energetique des Milieux Ionises, CNRS/Polytech’Orleans, Orleans Cedex 2, FRA)
,
TRAN-VAN Francois
(Univ. Francois Rabelais de Tours, Lab. de Physico-Chimie des Materiaux et Biomolecules, EA 4244, Parc de Grandmont ...)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 30 号： 1 ページ： 010601 発行年： 2012年01月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。