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文献
J-GLOBAL ID：201202272529365540
整理番号：12A0121639
反転ゲート構造の薄膜トランジスタ用の酸化インジウム亜鉛のウェット及びドライエッチングの比較
Comparison of wet and dry etching of zinc indium oxide for thin film transistors with an inverted gate structure
MARRS Michael A.
(Flexible Display Center at Arizona State Univ., 7700 S River Pkwy, Tempe, Arizona 85284)
,
VOGT Bryan D.
(Dep. of Polymer Engineering, Univ. of Akron, Akron, Ohio 44325)
,
RAUPP Gregory B.
(Dep. of Electronic Engineering, City Univ. of Hong Kong, Kowloon, Hong Kong)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 30 号： 1 ページ： 011505 発行年： 2012年01月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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