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文献
J-GLOBAL ID：201202272643224019
整理番号：12A1714813
AR-XPS及びHAX-PESによるSiO2/SiC界面の化学結合状態評価
AR-XPS and HAX-PES Studies on Chemical bonding states at SiO2/SiC interfaces
岡田葉月
(東京都市大)
,
小松新
(東京都市大)
,
渡辺将人
(東京都市大)
,
泉雄大
(高輝度光科学研究セ)
,
室桂隆之
(高輝度光科学研究セ)
,
澤野憲太郎
(東京都市大)
,
野平博司
(東京都市大)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112 号： 263(SDM2012 89-97) ページ： 5-9 発行年： 2012年10月18日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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