文献
J-GLOBAL ID:201202273178255324
整理番号:12A0832890
実スケールのシリコンナノワイヤ素子における熱輸送の原子レベルシミュレーション
Atomistic simulations of heat transport in real-scale silicon nanowire devices
著者 (2件):
DUCHEMIN Ivan
(Lab. de Simulation Atomistique, SP2M, INAC, CEA, 38054 Grenoble, FRA)
,
DONADIO Davide
(Max Planck Inst. for Polymer Res., Ackermannweg 10, 55128 Mainz, DEU)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
100
号:
22
ページ:
223107-223107-4
発行年:
2012年05月28日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)