文献
J-GLOBAL ID:201202273219416664
整理番号:12A1466395
eWLBパッケージのSnAgCu配線のエレクトロマイグレーション劣化機構分析
Electromigration degradation mechanism analysis of SnAgCu interconnects for eWLB package
著者 (9件):
FRANK T.
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
FRANK T.
(TIMA Lab., Grenoble, FRA)
,
CHAPPAZ C.
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
ARNAUD L.
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
ARNAUD L.
(CEA-Leti, Grenoble, FRA)
,
FEDERSPIEL X.
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
COLELLA F.
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
PETITPREZ E.
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
ANGHEL L.
(TIMA Lab., Grenoble, FRA)
資料名:
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻:
2012 Vol.1
ページ:
129-134
発行年:
2012年
JST資料番号:
A0631A
ISSN:
1541-7026
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)