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文献
J-GLOBAL ID：201202273578408405
整理番号：12A1321476
ポリシリコンダイオードドライバのあるコンパクトCMOSに適合する酸化物アンチフューズ
A Compact CMOS Compatible Oxide Antifuse With Polysilicon Diode Driver
HE Jin
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
HE Jin
(Peking Univ. Shenzhen SOC Key Lab., Shenzhen, CHN)
,
CHAN Wan Tim
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
WANG Cheng
(Peking Univ. Shenzhen SOC Key Lab., Shenzhen, CHN)
,
LOU Haijun
(Peking Univ. Shenzhen SOC Key Lab., Shenzhen, CHN)
,
WANG Ruonan
(Peking Univ. Shenzhen SOC Key Lab., Shenzhen, CHN)
,
LI Lin
(Peking Univ. Shenzhen SOC Key Lab., Shenzhen, CHN)
,
LI Lin
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
LIANG Hailang
(Peking Univ. Shenzhen SOC Key Lab., Shenzhen, CHN)
,
WU Wen
(Peking Univ. Shenzhen SOC Key Lab., Shenzhen, CHN)
,
YE Yun
(Peking Univ. Shenzhen SOC Key Lab., Shenzhen, CHN)
,
MA Yutao
(Peking Univ. Shenzhen SOC Key Lab., Shenzhen, CHN)
,
CHEN Qin
(Peking Univ. Shenzhen SOC Key Lab., Shenzhen, CHN)
,
HE Xiaomeng
(Renmin Univ. China, Beijing, CHN)
,
CHAN Mansun
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59 号： 9 ページ： 2539-2541 発行年： 2012年09月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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