文献
J-GLOBAL ID:201202273619235219
整理番号:12A1547904
新しい自己整合独立制御二重ゲート(IDG)文字列選択トランジスタ(SSL)により復号化された高ピッチ拡張可能3D垂直ゲート(VG)NANDフラッシュ
A Highly Pitch Scalable 3D Vertical Gate (VG) NAND Flash Decoded by a Novel Self-Aligned Independently Controlled Double Gate (IDG) String Select Transistor (SSL)
著者 (11件):
CHEN Chih-Ping
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
LUE Hang-Ting
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
CHANG Kuo-Pin
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
HSIAO Yi-Hsuan
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
HSIEH Chih-Chang
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
CHEN Shih-Hung
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
SHIH Yen-Hao
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
HSIEH Kuang-Yeu
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
YANG Tahone
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
CHEN Kuang-Chao
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
LU Chih-Yuan
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻:
2012
ページ:
91-92
発行年:
2012年
JST資料番号:
A0035B
ISSN:
0743-1562
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)