文献
J-GLOBAL ID:201202273726709550
整理番号:12A0579357
in situ CCVD(触媒化学蒸着)によって成長したグラフェントランジスタのヒステリシス
Hysteresis of In Situ CCVD Grown Graphene Transistors
著者 (5件):
WESSELY P. J.
(Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU)
,
WESSELY F.
(Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU)
,
BIRINCI E.
(Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU)
,
RIEDINGER B.
(Fraunhofer-Inst. Werkstoffmechanik, Freiburg, DEU)
,
SCHWALKE U.
(Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU)
資料名:
Electrochemical and Solid-State Letters
(Electrochemical and Solid-State Letters)
巻:
15
号:
4
ページ:
K31-K34
発行年:
2012年
JST資料番号:
W1290A
ISSN:
1099-0062
CODEN:
ESLEF6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)