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文献
J-GLOBAL ID：201202273825116129
整理番号：12A0684944
成長温度の関数として研究したSiドープGaAs(631)層の電気的,光学的特性
Electrical and optical properties of Si doped GaAs (631) layers studied as a function of the growth temperature
VAZQUEZ-CORTAS D.
(Coordinacion para la Innovacion y Aplicacion de la Ciencia y Tecnologia, Universidad Autonoma de San Luis Potosi ...)
,
VAZQUEZ-CORTAS D.
(Graduate School of Sci. and Engineering, Ehime Univ., 3 Bukyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, JPN)
,
SHIMOMURA S.
(Graduate School of Sci. and Engineering, Ehime Univ., 3 Bukyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, JPN)
,
LOPEZ-LOPEZ M.
(Physics Dep., Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del IPN, Apartado Postal 14-740, Mexico DF 07000, MEX)
,
CRUZ-HERNANDEZ E.
(Coordinacion para la Innovacion y Aplicacion de la Ciencia y Tecnologia, Universidad Autonoma de San Luis Potosi ...)
,
GALLARDO-HERNANDEZ S.
(Physics Dep., Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del IPN, Apartado Postal 14-740, Mexico DF 07000, MEX)
,
KUDRIAVTSEV Y.
(Electrical Engineering Department-SEES, Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del IPN, Apartado Postal ...)
,
MENDEZ-GARCIA V.h.
(Coordinacion para la Innovacion y Aplicacion de la Ciencia y Tecnologia, Universidad Autonoma de San Luis Potosi ...)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 347 号： 1 ページ： 77-81 発行年： 2012年05月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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