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文献
J-GLOBAL ID：201202274002638509
整理番号：12A1352258
薄いInAs表面層を使ったGaSb/Al2O3境界面の改良
Improvement of the GaSb/Al2O3 interface using a thin InAs surface layer
GREENE Andrew
(Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, Univ. at Albany - SUNY, Albany, NY 12203, USA)
,
MADISETTI Shailesh
(Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, Univ. at Albany - SUNY, Albany, NY 12203, USA)
,
NAGAIAH Padmaja
(Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, Univ. at Albany - SUNY, Albany, NY 12203, USA)
,
YAKIMOV Michael
(Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, Univ. at Albany - SUNY, Albany, NY 12203, USA)
,
TOKRANOV Vadim
(Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, Univ. at Albany - SUNY, Albany, NY 12203, USA)
,
MOORE Richard
(Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, Univ. at Albany - SUNY, Albany, NY 12203, USA)
,
OKTYABRSKY Serge
(Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, Univ. at Albany - SUNY, Albany, NY 12203, USA)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 78 ページ： 56-61 発行年： 2012年12月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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