文献
J-GLOBAL ID:201202274024057488
整理番号:12A1763144
Ge上のMOVPE成長GaAsのX線技術による構造研究
Structural investigation of MOVPE-grown GaAs on Ge by x-ray techniques
著者 (7件):
WONG C S
(Dublin City Univ., Dublin, IRL)
,
BENNETT N S
(Dublin City Univ., Dublin, IRL)
,
GALIANA B
(CSIC, Madrid, ESP)
,
TEJEDOR P
(CSIC, Madrid, ESP)
,
BENEDICTO M
(CSIC, Madrid, ESP)
,
MOLINA-ALDAREGUIA J M
(IMDEA Materials, Madrid, ESP)
,
MCNALLY P J
(Dublin City Univ., Dublin, IRL)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
27
号:
11
ページ:
115012,1-7
発行年:
2012年11月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)