文献
J-GLOBAL ID:201202274038026763
整理番号:12A1485755
180nm電力管理技術における平面デュアルゲート酸化物LDMOS構造
Planar Dual Gate Oxide LDMOS Structures in 180nm Power Management Technology
著者 (13件):
SHARMA Santosh
(IBM Microelectronics, VT)
,
LETAVIE Theodore
(IBM Microelectronics, VT)
,
SHI Yun
(IBM Microelectronics, VT)
,
LOISEAU Alain
(IBM Microelectronics, VT)
,
MONAGHAN John-Ellis
(IBM Microelectronics, VT)
,
FEILCHENFELD Natalie
(IBM Microelectronics, VT)
,
PHELPS Rick
(IBM Microelectronics, VT)
,
LAMOTHE Christopher
(IBM Microelectronics, VT)
,
COOK Don
(IBM Microelectronics, VT)
,
DUNN Jim
(IBM Microelectronics, VT)
,
ROERHER Georg
(austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT)
,
NAUSCHNIG Helmut
(austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT)
,
MINIXHOFER Rainer
(austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
24th
ページ:
405-408
発行年:
2012年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)