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文献
J-GLOBAL ID：201202274064311522
整理番号：12A0153167
4H-SiC二重エピタキシャルMOSFETにおける低オン抵抗の分析
Analysis of Low On-Resistance in 4H-SiC Double-Epitaxial MOSFET
HARADA Shinsuke
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
OKAMOTO Mitsuo
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
YATSUO Tsutomu
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
FUKUDA Kenji
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
ARAI Kazuo
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 483/485 ページ： 813-816 発行年： 2005年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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