文献
J-GLOBAL ID:201202274068110998
整理番号:12A0421649
弁構造の伝導率スイッチングの存在のための広バンドギャップ高分子層の役割
The role of the wide-band-gap polymer layer for the existence of conductivity switching in the valve structure
著者 (3件):
LACHINOV A. N.
(Russian Acad. of Sciences, Inst. of Molecular and Crystal Physics, Ufa Res. Center, pr. Oktyabrya 151, 450075 ...)
,
VOROB’EVA N. V.
(Russian Acad. of Sciences, Inst. of Molecular and Crystal Physics, Ufa Res. Center, pr. Oktyabrya 151, 450075 ...)
,
LACHINOV A. A.
(Russian Acad. of Sciences, Inst. of Molecular and Crystal Physics, Ufa Res. Center, pr. Oktyabrya 151, 450075 ...)
資料名:
Physics of the Solid State
(Physics of the Solid State)
巻:
54
号:
2
ページ:
428-432
発行年:
2012年02月
JST資料番号:
W0823A
ISSN:
1063-7834
CODEN:
PSOSED
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)