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文献
J-GLOBAL ID:201202274213043609   整理番号:12A0430718

InN:Mg薄膜のn型表面蓄積層とp型バルクの間の結合抵抗

Coupling resistance between n-type surface accumulation layer and p-type bulk in InN:Mg thin films
著者 (4件):
HURNI Christophe A.
(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, 93106-5050 California, USA)
CHOI Soojeong
(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, 93106-5050 California, USA)
BIERWAGEN Oliver
(Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, DEU)
SPECK James S.
(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, 93106-5050 California, USA)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 100  号:ページ: 082106  発行年: 2012年02月20日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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