文献
J-GLOBAL ID:201202274213043609
整理番号:12A0430718
InN:Mg薄膜のn型表面蓄積層とp型バルクの間の結合抵抗
Coupling resistance between n-type surface accumulation layer and p-type bulk in InN:Mg thin films
著者 (4件):
HURNI Christophe A.
(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, 93106-5050 California, USA)
,
CHOI Soojeong
(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, 93106-5050 California, USA)
,
BIERWAGEN Oliver
(Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, DEU)
,
SPECK James S.
(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, 93106-5050 California, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
100
号:
8
ページ:
082106
発行年:
2012年02月20日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)