文献
J-GLOBAL ID:201202274458572089
整理番号:12A1173157
垂直なSTT-RAMセルにおける書き込み動作中のエネルギー-遅延-信頼性トレードオフ調査のための準解析モデル
A Quasi-Analytical Model for Energy-Delay-Reliability Tradeoff Studies During Write Operations in a Perpendicular STT-RAM Cell
著者 (3件):
MUNIRA Kamaram
(Univ. Virginia, VA, USA)
,
BUTLER William H.
(Univ. Alabama, AL, USA)
,
GHOSH Avik W.
(Univ. Virginia, VA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
8
ページ:
2221-2226
発行年:
2012年08月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)