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文献
J-GLOBAL ID：201202275215439824
整理番号：12A0248666
SiH4+B10H14マルチホロー放電プラズマ化学蒸着を用いた無クラスタBドープ水素化非晶質珪素膜の蒸着
Deposition of Cluster-Free B-doped Hydrogenated Amorphous Silicon Films Using SiH4+B10H14 Multi-Hollow Discharge Plasma Chemical Vapor Deposition
KOGA Kazunori
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
NAKAHARA Kenta
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
KIM Yeon-Won
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
MATSUNAGA Takeaki
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
YAMASHITA Daisuke
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
MATSUZAKI Hidefumi
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
UCHIDA Giichiro
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
KAMATAKI Kunihiro
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
ITAGAKI Naho
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
SHIRATANI Masaharu
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51 号： 1,Issue 2 ページ： 01AD03.1-01AD03.4 発行年： 2012年01月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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