文献
J-GLOBAL ID:201202275980969610
整理番号:12A1584294
5段階法を用いて作製した高Ga含量のCu(In,Ga)Se2太陽電池のバンドプロフィル改善
Improvement of the Band Profile of Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells with High-Ga Content Prepared Using a Five-Stage Method
著者 (4件):
HIRAI Yoshiaki
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
HIDAKA Yukiya
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
KUROKAWA Yasuyoshi
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
YAMADA Akira
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
51
号:
10,Issue 2
ページ:
10NC03.1-10NC03.4
発行年:
2012年10月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)