文献
J-GLOBAL ID:201202276338435560
整理番号:12A1603108
二次元電子を有する半導体構造中の低温移動度の固有限界
Intrinsic limit to low-temperature mobility in semiconductor structures with two-dimensional electrons
著者 (2件):
SHANGINA E L
(Inst. for High Pressure Physics, Russian Acad. of Sci., Moscow Region, RUS)
,
SHANGINA E L
(Moscow State Pedagogical Univ. (MSPU), Moscow, RUS)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
27
号:
10
ページ:
105021,1-8
発行年:
2012年10月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)