文献
J-GLOBAL ID:201202276367850976
整理番号:12A0670068
n型のシリコンナノワイヤーの電界効果トランジスタにおける巨大ピエゾ抵抗効果の証拠
Evidence for giant piezoresistance effect in n-type silicon nanowire field-effect transistors
著者 (1件):
KANG Ting-kuo
(Dep. of Electronic Engineering, Cheng Shiu Univ., No. 840, Chengching Rd., Niaosong Dist., Kaohsiung City 83347, Taiwan)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
100
号:
16
ページ:
163501-163501-3
発行年:
2012年04月16日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)