文献
J-GLOBAL ID:201202276475847272
整理番号:12A0871355
インジウム-亜鉛-酸化物薄膜トランジスタへのガドリニウム取り込みの効果
The Effects of Gadolinium Incorporation Into Indium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors
著者 (4件):
PARK Jae Chul
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Sang Wook
(Samsung Advanced Inst. Technol., Yongin, KOR)
,
KIM Chang Jung
(Samsung Advanced Inst. Technol., Yongin, KOR)
,
LEE Ho-Nyeon
(Soonchunhyang Univ., Asan, KOR)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
33
号:
6
ページ:
809-811
発行年:
2012年06月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)