文献
J-GLOBAL ID:201202276597880190
整理番号:12A1006043
4H-SiCにおける室温でのナノ押込み試験後に核形成される転位の解析
Analysis of Dislocations Nucleated after Nano Indentation Tests at Room Temperature in 4H-SiC
著者 (4件):
DEMENET J.-L.
(Univ. Poitiers, Chasseneuil Futuroscope)
,
AMER M.
(Univ. Poitiers, Chasseneuil Futuroscope)
,
TROMAS C.
(Univ. Poitiers, Chasseneuil Futuroscope)
,
RABIER J.
(Univ. Poitiers, Chasseneuil Futuroscope)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
717/720
号:
Pt.1
ページ:
339-342
発行年:
2012年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)