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文献
J-GLOBAL ID：201202276768907903
整理番号：12A0230493
イオンビームスパッタリング堆積によって成長させた自己集合Ge/Si島の成長
Evolution of self-assembled Ge/Si island grown by ion beam sputtering deposition
YANG Jie
(Inst. of Optoelectronic Information Material, Yunnan Univ., Kunming 650091, CHN)
,
YANG Jie
(Fac. of Metallurgical and Energy Engineering, Kunming Univ. of Sci. and Technol., Kunming 650093, CHN)
,
JIN Yingxia
(Inst. of Optoelectronic Information Material, Yunnan Univ., Kunming 650091, CHN)
,
WANG Chong
(Inst. of Optoelectronic Information Material, Yunnan Univ., Kunming 650091, CHN)
,
LI Liang
(Inst. of Optoelectronic Information Material, Yunnan Univ., Kunming 650091, CHN)
,
TAO Dongping
(Fac. of Metallurgical and Energy Engineering, Kunming Univ. of Sci. and Technol., Kunming 650093, CHN)
,
YANG Yu
(Inst. of Optoelectronic Information Material, Yunnan Univ., Kunming 650091, CHN)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 258 号： 8 ページ： 3637-3642 発行年： 2012年02月01日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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