文献
J-GLOBAL ID:201202277023644184
整理番号:12A0527963
次世代相変化メモリへの応用のためのカルコゲナイドへのN-ドーピングによる結晶成長抑制
Crystal Growth Suppression by N-Doping into Chalcogenide for Application to Next-Generation Phase Change Memory
著者 (2件):
YIN You
(Gunma Univ., Gunma, JPN)
,
HOSAKA Sumio
(Gunma Univ., Gunma, JPN)
資料名:
Key Engineering Materials
(Key Engineering Materials)
巻:
497
ページ:
101-105
発行年:
2012年
JST資料番号:
D0744C
ISSN:
1013-9826
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)