文献
J-GLOBAL ID:201202277124026090
整理番号:12A0955266
窒化ガリウムダイオードの特性に及ぼすトラップ支援トンネル効果のシミュレーション
Simulation of trap-assisted tunneling effect on characteristics of gallium nitride diodes
著者 (5件):
SAKOWSKI Konrad
(Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sciences, ul. Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL)
,
MARCINKOWSKI Leszek
(Dep. of Mathematics, Computer Sci. and Mechanics, Warsaw Univ., ul. Banacha 2, 02-097 Warsaw, POL)
,
KRUKOWSKI Stanislaw
(Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sciences, ul. Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL)
,
GRZANKA Szymon
(Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sciences, ul. Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL)
,
LITWIN-STASZEWSKA Elzbieta
(Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sciences, ul. Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
111
号:
12
ページ:
123115-123115-7
発行年:
2012年06月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)