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文献
J-GLOBAL ID：201202277153173647
整理番号：12A1729279
イオン蒸着で作製されたa-C:H:Si膜の低摩擦特性
Low friction characteristics of a-C:H:Si films prepared by ion vapor deposition
CHEN Xinchun
(Univ. Tokyo)
,
KAWAGUCHI Masahiro
(Tokyo Metropolitan Industrial Technol. Res. Inst.)
,
CHOI Junho
(Univ. Tokyo)
,
MATSUMOTO Naohiro
(Univ. Tokyo)
,
NOSAKA Masataka
(Univ. Tokyo)
,
KATO Takahisa
(Univ. Tokyo)
資料名：
日本トライボロジー学会トライボロジー会議予稿集
(Proceedings of JAST Tribology Conference)
巻： 2012-9 ページ： 409-410 発行年： 2012年08月24日
JST資料番号： Y0047B ISSN： 0919-6005 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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