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文献
J-GLOBAL ID:201202277153173647   整理番号:12A1729279

イオン蒸着で作製されたa-C:H:Si膜の低摩擦特性

Low friction characteristics of a-C:H:Si films prepared by ion vapor deposition
著者 (6件):
CHEN Xinchun
(Univ. Tokyo)
KAWAGUCHI Masahiro
(Tokyo Metropolitan Industrial Technol. Res. Inst.)
CHOI Junho
(Univ. Tokyo)
MATSUMOTO Naohiro
(Univ. Tokyo)
NOSAKA Masataka
(Univ. Tokyo)
KATO Takahisa
(Univ. Tokyo)

資料名:
日本トライボロジー学会トライボロジー会議予稿集  (Proceedings of JAST Tribology Conference)

巻: 2012-9  ページ: 409-410  発行年: 2012年08月24日 
JST資料番号: Y0047B  ISSN: 0919-6005  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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