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文献
J-GLOBAL ID：201202277229567801
整理番号：12A1258021
低電力CMOSテクノロジーのためのナノスケール垂直および水平チャンネルの金属-酸化物-半導体電界トランジスタの共集積
Co-Integration of Nano-Scale Vertical- and Horizontal-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors for Low Power CMOS Technology
SUN Min-Chul
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
SUN Min-Chul
(Samsung Electronics Co. Ltd., Yongin, KOR)
,
KIM Garam
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Sang Wan
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Hyun Woo
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Hyungjin
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Jong-Ho
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
SHIN Hyungcheol
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
PARK Byung-Gook
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名：
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 12 号： 7 ページ： 5313-5317 発行年： 2012年07月
JST資料番号： W1351A ISSN： 1533-4880 CODEN： JNNOAR 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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