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文献
J-GLOBAL ID：201202277498708063
整理番号：12A1005968
大きな直径の高濃度ドープ4H-SiC結晶を成長させるため過程とるつぼ修正
Process and Crucible Modification for Growth of Highly Doped 4H-SiC Crystal with Larger Diameter
PARK Jong-Hwi
(Dong-Eui Univ., Busan, KOR)
,
YANG Tae-Kyoung
(Dong-Eui Univ., Busan, KOR)
,
KIM Il-Soo
(Dong-Eui Univ., Busan, KOR)
,
LEE Won-Jae
(Dong-Eui Univ., Busan, KOR)
,
YEO Im-Gyu
(Res. Inst. Industrial Sci. and Technol., Kyungbuk, KOR)
,
EUN Tai-Hee
(Res. Inst. Industrial Sci. and Technol., Kyungbuk, KOR)
,
LEE Seung-Seok
(Res. Inst. Industrial Sci. and Technol., Kyungbuk, KOR)
,
KIM Jang-Yul
(Res. Inst. Industrial Sci. and Technol., Kyungbuk, KOR)
,
CHUN Myong-Chuel
(POSCO center, Seoul, KOR)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 717/720 号： Pt.1 ページ： 17-20 発行年： 2012年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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