文献
J-GLOBAL ID:201202277761434119
整理番号:12A1006224
極限環境用途向けの安定な保護皮膜を施した4H-SiC MOSFET
4H-SiC MOSFETs With a Stable Protective Coating for Harsh Environment Applications
著者 (6件):
DAVES W.
(Robert Bosch GmbH, Gerlingen, DEU)
,
KRAUSS A.
(Robert Bosch GmbH, Gerlingen, DEU)
,
HAEUBLEIN V.
(Fraunhofer Inst. Integrated Systems and Device Technol., Erlangen, DEU)
,
BAUER A. J.
(Fraunhofer Inst. Integrated Systems and Device Technol., Erlangen, DEU)
,
FREY L.
(Fraunhofer Inst. Integrated Systems and Device Technol., Erlangen, DEU)
,
FREY L.
(Univ. Erlangen-Nuremberg, Erlangen, DEU)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
717/720
号:
Pt.2
ページ:
1089-1092
発行年:
2012年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)