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文献
J-GLOBAL ID：201202278303868378
整理番号：12A0599920
サファイア(0001)基板上に堆積したInGaN/GaNから成るMQW構造にAlGaNの中間層を組み込んだ緑色LEDの光出力の増大
Enhanced light output power of green LEDs employing AlGaN interlayer in InGaN/GaN MQW structure on sapphire (0001) substrate
SHIODA Tomonari
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
YOSHIDA Hisashi
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
TACHIBANA Koichi
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
SUGIYAMA Naoharu
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
NUNOUE Shinya
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 209 号： 3 ページ： 473-476 発行年： 2012年03月
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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