文献
J-GLOBAL ID:201202279031330485
整理番号:12A0956095
n-GaNへの酸素自動ドーピングが誘起するキャリア補償の直接証拠
Direct Evidence of Carrier Compensation Induced by Auto-Doped Oxygen in n-GaN
著者 (5件):
YOO Y. Z.
(Samsung Corning Precision Materials, Chungcheongnam-do, KOR)
,
CHOI J. S.
(Samsung Corning Precision Materials, Chungcheongnam-do, KOR)
,
KIM K. J.
(Samsung Corning Precision Materials, Chungcheongnam-do, KOR)
,
WOO G. J.
(Samsung Corning Precision Materials, Chungcheongnam-do, KOR)
,
PARK B. M.
(Samsung Corning Precision Materials, Chungcheongnam-do, KOR)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
159
号:
6
ページ:
J209-J211
発行年:
2012年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)